中國在光刻技術仍然落後

楊大炮

雖然中共不惜斥巨資發展半導體技術和製造，但中國企業在半導體這個高度複雜的領域，尤其是在光刻技術領域，仍然面臨巨大障礙，遠遠落後於西方國家。

根據華盛頓特區獨立智庫「安全與新興技術中心」（CSET）的數據，中國在整個光刻市場的增長幾乎為零，凸顯國內供應商在半導體最複雜領域取得進展之小。荷蘭光刻機巨頭ASML（阿斯麥）和日本公司尼康繼續控制著全球光刻機市場，而迄今為止，中國的上海微電子裝備股份有限公司（SMEE）在用於傳統芯片製造的I-line（365奈米）光刻機方面僅占有4%市場份額。

這家智庫經常為美國各政府機構提供諮詢。數據顯示，在光刻工具領域，中國在2019年至2024年期間獲得的市場份額微不足道。荷蘭仍然是光刻工具主要供應國（79%），其次是日本（17%），表明光刻技術仍然是中共半導體技術野心的關鍵瓶頸，外國老牌企業持續保持著強大領先地位。

光刻技術是芯片製造發展的核心推動技術。荷蘭公司ASML製造的EUV（極紫外）光刻機是生產全球最先進芯片所需的設備，光刻系統利用光束來創建芯片電路。這些光刻機生產的高端芯片被用於從電動車到軍事裝備等各種用途。

美國政府一直在聯合日本、荷蘭等盟友，努力確保這些機器不會落到中共手裡。美國官員曾表示，他們希望限制中共在製造先進半導體方面的進步，因為此類技術是中共發展軍事現代化的關鍵。而中共一直沒有放棄武統台灣的野心。

白宮人工智能和加密事務主管戴維‧薩克斯（David Sacks）今年5月23日曾表示，限制向中國出售EUV設備，是美國在半導體領域「最重要的出口管制」。

去年12月，ASML首席執行官克里斯托夫‧富凱（Christophe Fouquet）接受荷蘭《商務日報》（NRC Handelsblad）專訪時表示，因為中國公司無法獲得尖端EUV光刻工具，中方芯片製造技術仍落後英特爾、台積電和三星等行業巨頭10到15年。眾所周知，即使擁有一流DUV（深紫外）工具，中芯國際等中國芯片製造商也無法以經濟高效方式與台積電的工藝技術相媲美。

「通過禁止出口EUV，中國（中共芯片技術）將落後西方10到15年。」富凱說，「這確實有影響。」
CSET報告還顯示，在沉積工具方面，美國仍然是最大供應國，占據61%市場份額，其次是日本（15%）、荷蘭（11%）和中國（7%）。美國的市場份額保持相對穩定。

沉積工具會在晶圓上塗覆超薄材料層。所有芯片的製造都依賴於沉積工具，但最先進節點（即14納米及以下）需要特別精確的技術。在尖端技術方面，原子層沉積（ALD）等子領域以原子為單位沉積薄膜，對於實現最先進制造工藝的芯片性能至關重要。

中國一直試圖將自己定位為先進封裝供應鏈中的重要參與者，而先進封裝技術是緊密集成小芯片所必需的。CSET報告顯示，中企在先進封裝工具領域，尤其是在用於先進封裝的蝕刻和清洗工具方面，獲得一定市場份額。然而，截至2024年，美國和日本企業仍將保持顯著領先地位。在其它組裝和封裝領域，包括鍵合和芯片封裝工具，中國自2019年以來一直在失去市場份額。

報告數據顯示，在先進封裝工具領域（即先進封裝的製造工具），中國占據7%的市場份額，落後於美國（65%）和日本（15%）。在這些細分領域中，中國在先進封裝蝕刻和清洗工具（+10個百分點）和先進封裝沉積工具（+3個百分點）的市場份額有所增長，但在先進封裝光刻工具（-2個百分點）和先進封裝化學機械拋光（CMP）工具（-2個百分點）的市場份額均有所下降。

報告寫道，長期以來，中共一直致力於推動半導體產業的本土化，並在「中國製造2025」計劃出台後的十年裡加快了這一進程。2019年至2024年，中國企業在六個設備細分領域的市場份額均有所增長，然而，中企在高度複雜的領域，尤其是在光刻技術領域，在擴大市場份額方面仍然面臨著巨大的障礙。