台積電也提升ASML 製程

arco

台積電（TSMC）提升 ASML 極紫外光（EUV）曝光機效率取得重大進展，2019 年以來，台積電以系統級最佳化及自研薄膜材料，使 EUV 生產晶圓產量增加 30 倍，同時電力消耗減少 24%。身為全球最大 EUV 用戶，台積電有約 200 台機台，2024~2025 年再新增 60 多台，支撐先進製程擴產需要。

台積電核心優勢來自硬體設備及材料供應鏈掌控力，甚至計畫改造一座200公釐工廠專門生產自研EUV薄膜，性能超過ASML原廠，展現台積電製程與材料整合實力。薄膜壽命增加四倍，單片晶圓產能提升4.5倍，瑕疵品大幅降低。

2019年首次於華為麒麟9000處理器導入EUV後，台積電控制全球超過42%~56%的EUV機台裝機量，且持續投資最佳化製程，包括曝光劑量微調、曝光材料改良及預測性維護，大幅提升每日機台利用率與生產效率。這些成果為即將量產的2奈米提供堅實基礎，持續鞏固台積電的全球半導體代工龍頭地位。

將來台積電聚焦新曝光材料與製程，並配合即將量產的高數值孔徑（High-NA）EUV系統，繼續引領產業革新。