生成式AI熱潮助推，5月DRAM漲價8%

arco

半導體記憶體之一、DRAM的大單優惠價出現上漲。截至5月，指標産品環比上漲了8%。隨著用於生成式AI的新一代産品需求出現激增，記憶體企業對普通産品也進行了強勢提價。席捲世界的「生成式AI」熱潮正在明顯推高半導體整體行情。

DRAM嵌入個人電腦(PC)、智慧手機和數據中心伺服器等設備，是用於數據臨時存儲的記憶體。大單優惠價由作為賣方的記憶體製造商、作為買方的設備製造商和模塊製造商按月或季度確定。

從5月的大單優惠價來看，作為指標的8GB DDR4為每個2.10美元左右。容量較小的4GB為1.62美元左右。兩者均時隔2個月首次上漲。

DRAM的大單優惠價從2021年秋季到2023年春季一直處於下跌局面。原因是疫情下擴大的PC和智慧手機的「宅消費」出現停滯，導致需求下降。

韓國的SK海力士和三星電子、美國的美光科技等大型記憶體企業因盈利惡化影響，通過減産減少了供應，2023年春季到秋季價格觸底。但之後並沒有持續上漲，8GB和4GB的産品在3～4月連續2個月持平。

5月上漲的主要原因是新一代半導體「HBM(高寬頻記憶體)」的洽購強勁。HBM是將多個DRAM晶片疊加在一起的記憶體，可實現高速和大容量的數據處理，對於生成式AI晶片的驅動是必不可少的。在面向處理大容量數據的數據中心等領域，HBM的需求正在急劇增加。

HBM大部分供應給涉足生成式AI用圖形處理器(GPU)的美國英偉達公司。一家日本電子産品貿易商指出：「HBM的供應跟不上需求，供應量出現短缺」。

大型記憶體企業向作為買方的設備製造企業表示，「我們強勢要求客戶在採購HBM之際高價購買普通DRAM，最終買方接受」。

另一家電子産品貿易商的負責人表示，「一個HBM按(大量用於智慧手機的)LPDDR換算，需要3個半導體晶片，所以每個的價格相對較高」。同時補充道「廠家為了增加HBM的供應量，縮小了DRAM的産量。因此，普通DRAM的價格似乎也在上漲」。

有觀點指出，日本國內DRAM的價格上漲還有其他因素。市場相關人士稱「隨著中國智慧手機需求的復甦，買家的庫存減少，面向中國的DRAM價格上漲。由於面向中國和面向日本國內的價格差拉大，日本國內廠商也跟著接受了漲價」。

隨著大型記憶體企業紛紛推進HBM的量産，投資競爭日趨激烈。據稱HBM以外的生産數量2024年不會增加，也有可能希望在2025年因為供應短缺推動價格上漲。

雖然大單優惠價上漲，但DRAM的現貨(即時合約)價格卻原地踏步。截至6月25日，8GB DDR為每個1.63美元左右，與2023年底持平。對於與大單優惠價的偏離，有觀點認為「除了HBM以外，沒有出現供應缺口，因此沒有反映在現貨價格上」。

arco

什麼是 DRAM？
動態隨機存取記憶體 (DRAM) 是一種主記憶體，用於臨時儲存資訊以傳送至中央處理單元 (CPU)並返回應用程式以向使用者提供輸出。電腦記憶體是桌上型電腦和行動裝置中的重要組件，但 DRAM 的類型和速度決定了電腦的效能。

DRAM 是一種易失性儲存形式，只要電腦開機就可以保存資訊。 DRAM 是一系列儲存資料供應用程式或 CPU 用於計算的電路。驅動器和 DRAM 之間的明顯區別在於，DRAM 是主存儲，在斷電後不會持續存在，而存儲驅動器是輔助存儲，即使在斷電後也會持續存在。

DRAM有什麼特點？
作為一種易失性儲存介質，DRAM 的定義特性包括：

易失性記憶體：DRAM 僅在通電時保留資料。一旦斷電，儲存的資訊就會遺失。
刷新週期：DRAM 單元需要定期刷新以保持資料完整性，因為隨著時間的推移，它們往往會洩漏電荷。
速度：DRAM 比 HDD 和 SSD 等非揮發性輔助儲存媒體快，但比靜態 RAM (SRAM) 慢，後者是 RAM 的第二種主要類型。
DRAM 因其需要刷新周期以保持資料完整性而得名。雖然速度不如 SRAM，但其代價是成本和功耗較低。

DRAM 有何用途？
所有電腦都需要某種形式的臨時存儲，而 DRAM 通常是製造商的首選。伺服器、桌上型電腦和行動裝置製造商在其設備中安裝一種 DRAM。任何現代電腦都可能安裝 DRAM 作為其建置的一部分，以實現任何應用程式所需的易失性儲存。

顯示卡也使用 DRAM。顯示卡具有圖形處理單元 (GPU)，用於協助渲染和處理影像和影片。 DRAM 用於顯示卡內存，在不中斷 CPU 的情況下提供計算。由於 GPU 與 CPU 一起執行運算，因此可以加快圖形和遊戲的渲染速度。

DRAM 是如何運作的？
DRAM 中的儲存單元包含電晶體和電容器並儲存一個位元。每個儲存單元儲存一位數據，當必須儲存一位數據時，電晶體負責對電容器充電。當電腦準備好儲存資料時，它會向電晶體發送電荷。電荷啟動位元存儲，且儲存單元每隔幾毫秒重新充電一次，以確保資料不會遺失。電容器會慢慢失去電荷，因此外部刷新電路將資料重寫到電容器並刷新其電荷。 DRAM 可儲存的位數是有限的，但電路的數量決定了 DRAM 可儲存的位數。單一 DRAM 晶片通常可儲存 8GB、16GB、32GB 或 64GB。

電腦使用二進位數字系統，該系統由一系列 1 和 0 組成。然而，在進行記憶體維護和資料分配時，DRAM 位址以十六進位表示法表示，這是以 16 為基數的數位系統。 DRAM 晶片包含一個按行和列排列的儲存體陣列。行和列的交叉點是包含一個位元的電容器。當 CPU 需要來自 DRAM 的資料時，控制單元會檢索位元並將其傳送到 CPU。 CPU 將輸出傳送回控制單元，然後控制單元將其傳送至 DRAM 進行儲存以供應用程式使用。

相關閱讀：什麼是 VRAM？

DRAM 速度比較
那麼 DRAM 在更大的儲存世界中處於什麼位置呢？在本節中，我們將仔細研究一些常見的速度比較，以大致了解 DRAM 與其他類型儲存媒體的比較情況。

DRAM 與 HDD 和 SSD
作為一種非揮發性儲存介質，DRAM 本質上比 HDD 和 SSD 等持久性儲存介質更快。目前有兩個主要瓶頸阻礙持久儲存達到 DRAM 等易失性儲存媒體的速度：

實體：DRAM 儲存寫入透過電晶體和電容器的組合以純電狀態變化的形式發生。在斷電（即非揮發性）的情況下儲存資料的能力是以依賴其他機制為代價的。
介面：SSD 和 HDD 必須透過控制器和介面與 CPU 通訊。持久性儲存通常沒有與 CPU 的直接線路。
也就是說，工程師正在尋找新的方法來縮小二級儲存和主儲存之間的速度差距。了解一種稱為儲存層級記憶體 (SCM) 的新型記憶體如何努力縮小這一差距。  

DRAM 與 SRAM  
靜態隨機存取記憶體 (SRAM) 是電腦系統可用的另一種主要 RAM 形式。 SRAM 比 DRAM 更快，因此用於快取資料。快取資料是 CPU 快速且隨時可用的信息，可以對其進行處理以提高電腦的效能。 SRAM也只使用電晶體，不包含任何電容器。

SRAM 比 DRAM 更不穩定，但速度也更快，通常存在於 CPU 上。電腦製造商不需要安裝SRAM，因為它整合在CPU上，而DRAM在組裝電腦時必須安裝。 SRAM 有六個晶體管，它靠近 CPU 且存取速度快，因此速度更快，對於快取來說是必要的。

DRAM 與 SDRAM
同步 DRAM (SDRAM) 是一代電腦內存，可以與 CPU 的時脈速度同步。匹配時脈速度可以提高 CPU 和電腦記憶體之間的資料交換效能。由於 SDRAM 是同步的，因此儲存體的區塊可以同時執行資料交換，從而能夠以比標準 DRAM 更快的速度處理更多資料。

DRAM 與 DDR
下一代電腦記憶體是 DDR，即雙倍資料速率 SDRAM。 DDR 的速度更快，基於內部 CPU 時脈上升和下降期間發送的資料交換，其發送的資料是 SDRAM 的兩倍。 DDR 有時鐘速度倍增器。例如，DDR2 將時脈速度乘以 2。更高的時脈速度意味著可以以更快的速度交換更多資料。

結論
每台桌上型電腦和行動裝置都使用一代 DRAM 來為易失性主儲存供電。裝置中使用的 DRAM 的代數將決定應用程式的速度和任何活動的輸出。即使為網路環境配置伺服器，您也經常選擇記憶體。正是這種記憶體影響了伺服器速度和應用程式的效能。

使用Pure Storage® DirectMemory™快取體驗類似 DRAM 的速度。它使用英特爾傲騰技術，彌合了傳統 NAND 和 DRAM 之間的差距，徹底改變了儲存層級記憶體。