中山大學獨創「超臨界流體技術」 獲日本半導體商投資

eric955168

2022-05-05 10:48 聯合報／記者徐如宜／高雄即時報導

中山大學物理系講座教授張鼎張（中）獨創「超臨界流體低溫缺陷鈍化技術」，師生團隊成立奈盾科技，助攻半導體新技術突破良率瓶頸。圖／中山大學提供

中山大學物理系講座教授張鼎張獨創「超臨界流體低溫缺陷鈍化技術」，師生團隊成立奈盾科技（Naidun-tech）公司，助攻半導體新技術突破良率瓶頸，獲得科技部價創計畫補助，更吸引日本第1大半導體設備商東京威力與台灣友達青睞，成為東京威力在台灣投資的新創公司。

張鼎張表示，「超臨界流體」是一種物質狀態，一般固體吸熱變液體，液體加熱變氣體，氣體再加壓超過臨界溫度及臨界壓力，物質將兼具液體與氣體的特性，就是超臨界流體。超臨界流體有較好的滲透性和較強的溶解力，廣泛應用於萃取技術，將其作為萃取劑，將原料中某些成分析出，常見包括萃取咖啡因，製造保養品、營養補充品與清潔劑等。

「但我們團隊則反其道而行，利用超臨界流體導入新物質。」張鼎張強調，在半導體尺寸微縮的趨勢下，長完膜、蝕刻後，可能會有很多缺陷，舊有技術無法提供好的解決方案，超臨界流體既像氣體又像液體，具高反應性、高滲透性、低表面張力等三大優勢，運用在電子元件上可有效消除缺陷，讓元件性能與可靠度大幅提升。

張鼎張說明，好的3C產品有賴其電子元件性能與可靠度，然而元件產製過程會產生劣化效應，不同材料疊加界面處易產生懸鍵，即內部缺陷。如Micro LED側壁容易有很多缺陷，影響發光效率，若能妥善消除缺陷，就能讓效率提升。

為了鈍化缺陷，常見手法是透過高溫活化，但元件加入金屬後，溫度最高僅能承受400度，傳統鈍化的高溫動輒800度，有材料使用上的侷限，也沒辦法做到深入的修復。而超臨界流體低溫缺陷鈍化技術很特別，一般高溫的製程只要200度到300度間就可以做到，透過這項技術可修補半導體材料內的斷鍵，讓不好的元件回到正常特性。

師生成立奈盾科技公司除了技術有潛力外，經營團隊也有業界經驗，更能吸引大廠來投資。張鼎張認為學術研發成果成立新創公司獲得投資是一個好的開始，未來團隊還是要不斷努力把這新技術導入產業。

中山大學物理系講座教授張鼎張獨創「超臨界流體低溫缺陷鈍化技術」。圖／中山大學提供

中山大學獨創超臨界流體低溫缺陷鈍化技術可以有效提升元件性能與可靠度，並應用於12吋機台與晶圓樣本。圖／中山大學提供