工研院與加州大學洛杉磯分校合作

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原文：工研院與加州大學洛杉磯分校合作，開發電壓控制式磁性記憶體

作者 Emmastein∣發布日期 2022年03月03日 14:50

5G、AI人工智慧正在驅動半導體產業成長趨勢，隨著晶片體積愈來愈小，高速、高效能的磁性記憶體（MRAM）技術已成為主流。近日工研院與美國加州大學洛杉磯分校（UCLA）合作開發「電壓控制式磁性記憶體（VC-MRAM）」，可望減少近百倍能耗、提升逾10倍速度。

為研發更快、更穩、不失憶的新世代記憶體，工研院多年前就開始深耕磁性記憶體（Magnetic Random Access Memory，MRAM）技術，陸續投入自旋霍爾式磁性記憶體（Spin Orbit Torque MRAM，SOT-MRAM）等研究，成功開發出先進磁性記憶體，相關成果也逐步落地產業。

如今這些研發基礎吸引了UCLA與工研院合作，開發電壓控制式磁性記憶體（Voltage Control Magnetic RAM，VC-MRAM）與SOT MRAM相比，VC-MRAM具有更快的寫入速度（縮短50%）、讀寫能耗更低（減少75%）等特性，非常適合AIoT及汽車晶片應用需求。。

工研院電光系統所所長吳志毅指出，隨著AI人工智慧、5G時代來臨，快速處理大量資料的需求暴增，半導體業者開始尋求成本更佳、速度更快、效能更好的解決方案。由於MRAM擁有與靜態隨機存取記憶體（Static Random Access Memory，SRAM）相當的寫入、讀取速度，還兼具節能特色，近年來已成為半導體先進製程、下世代記憶體與運算新星。

隨著VC-MRAM技術加強，工研院希望推進相關材料元件，2023年初能展現世界頂尖技術，帶來下世代記憶體里程碑。